Nanoscale strained-Si/SiGe and double-gate MOSFET modeling

机译：纳米级应变 - Si / SiGe和双栅MOSFET造型

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Chandrasekaran Karthik;
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1. Analytical Drain Current Modelfor Nanoscale Strained-si/sige mosfets [J] . Himanshu Batwani, Mayank Gaur, M. Jagadesh Kumar Compel . 2009,第2期

机译：纳米级si / sige mosfets的分析漏电流模型
2. Drain Current Model For Strained-si/sii_agex/strained-si Double-gate Mosfets Including Quantum Effects [J] . S Mohammadi, A Afzali-Kusha, S Mohammadi Semiconductor science and technology . 2011,第9期

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4. Compact Modeling of Threshold Voltage in Nanoscale Strained-Si/SiGe MOSFETs [C] . Susheel Nawal, Vivek Venkataraman, M. Jagadesh Kumar Nano Science and Technology Institute(NSTI) Nanotechnology Conference and Trade Show(NSTI Nanotech 2006) vol.3 . 2006

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5. Compact modeling of double-gate MOSFETs. [D] . Lu, Huaxin. 2006

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