机译:通过在高温环境中使用八边形布局样式来提高SOI MOSFET的电气性能
Electrical Engineering Department, Centro Universitário da FEI, São Paulo, Brazil;
ICTEAM Institute, Université Catholique de Louvain, Louvain-La-Neuve, Belgium;
ICTEAM Institute, Université Catholique de Louvain, Louvain-La-Neuve, Belgium;
Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer, São Paulo, Brazil;
Electrical Engineering Department, Centro Universitário da FEI, São Paulo, Brazil;
MOSFET; Logic gates; Layout; Diamond; Geometry; Scattering; Aerospace electronics;
机译:使用MOSFET的八角布局样式促进电离辐射环境中的匹配
机译:创新的椭圆形布局样式可进一步提高MOSFET的电气性能
机译:在高温环境下将八边形布局用于SOI MOSFET的影响
机译:通过应用椭圆形布局风格提高MOSFET开关的电气性能
机译:对SOI LDMOSFET的新型埋入式绝缘子材料和几何形状进行热分析,并获得电气性能的稳定性。
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFETPN结二极管和电阻器
机译:使用MOSFET的六角形布局风格促进电离辐射环境中的设备匹配
机译:用于极端环境的高效率升压功率处理单元中的碳化硅功率mOsFET性能。