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机译:使用MOSFET的八角布局样式促进电离辐射环境中的匹配
FEI Univ Ctr Dept Elect Engn Sao Bernardo Do Campo Brazil;
FEI Univ Ctr Dept Elect Engn Sao Bernardo Do Campo Brazil;
FEI Univ Ctr Dept Elect Engn Sao Bernardo Do Campo Brazil;
IMEC Unit Proc Modules B-3001 Leuven Belgium;
Katholieke Univ Leuven Dept Elect Engn B-3000 Leuven Belgium;
FEI Univ Ctr Dept Elect Engn Sao Bernardo Do Campo Brazil;
Octo layout style; hardness-by-design technique; MOSFET matching; analog CMOS ICs; total ionizing dose; experimental electrical characterization;
机译:通过在高温环境中使用八边形布局样式来提高SOI MOSFET的电气性能
机译:在X射线电离辐射环境中MOSFET的Diamond布局样式的电学行为
机译:在高温环境下将八边形布局用于SOI MOSFET的影响
机译:通过使用菱形布局样式来增强MOSFET的匹配
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:Z栅极布局MOSFET的3D数值模拟
机译:使用MOSFET的六角形布局风格促进电离辐射环境中的设备匹配