机译:减少NBTI和工艺变化对6T SRAM单元影响的自适应人体偏置
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo, Canada;
Adaptive body bias; SRAM cells; deep submicrometer; negative bias temperature instability; process variations; soft errors;
机译:自适应主体偏置可减少芯片间和芯片内参数变化对微处理器频率和泄漏的影响
机译:NBTI和工艺偏差补偿电路采用自适应偏置
机译:自适应电源电压和主体偏置的有效性,可减少低功耗和高性能微处理器中参数变化的影响
机译:NBTI和PBTI对超薄GeOI 6T SRAM单元的影响
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:工艺变化和长期退化对6T-sRam单元的影响