机译:FET-R-C电路:统一的处理-第II部分:扩展至多路径,噪声系数和驱动点阻抗
VLSI Design and Education Center, University of Tokyo, Tokyo, Japan;
Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA, USA;
Mixers; Harmonic analysis; Switches; Impedance; Transfer functions; Integrated circuit modeling; Field effect transistors;
机译:FET-R-C电路:统一处理—第一部分:单路径的信号传输特性
机译:Gunn波导振荡器中谐振电路的理论和实验驱动点阻抗结果
机译:使用信号流图和驱动点阻抗分析通用电路和反馈电路及系统的系统方法
机译:在MOS驱动点和跨阻级中进行带宽扩展
机译:高阻抗电磁表面,用于减轻高速电路中的开关噪声。
机译:统一剂量学指数(UDI):用于对治疗计划进行排名的指标
机译:FET放大器和混频器电路中的噪声系数
机译:阻抗谱中的分布式电路元件。导电和介电系统的统一处理