机译:电流拥挤影响红色垂直AlGaInP / GaAs发光二极管性能的研究
Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Kiev, Ukraine;
AlGaInP/GaAs; current crowding (CC); efficiency droop; light-emitting devices (LEDs);
机译:垂直蓝色InGaN-on-SiC发光二极管中电流拥挤对电效率下降的影响
机译:具有碳掺杂间隙/铟锡氧化物接触层的高性能Algainp / gaas发光二极管
机译:具有肖特基电流阻挡层的基于AlGaInP的发光二极管的增强性能
机译:各向异性激光蚀刻和透明导电层在垂直结构的GaN的发光二极管中缓解电流挤压效应
机译:电流拥挤和器件结构对氮化镓基发光二极管工作的影响。
机译:非绝缘电流阻挡层和带纹理的表面增强了氮化物基紫外垂直注入发光二极管的性能
机译:低压金属有机气相外延制备的n和p-GaAs取向错误衬底上的AlGaInP发光二极管的比较