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机译:用金属有机化学气相沉积生长的AlGaAs包覆层在1.28μm的InAs-GaAs量子点上发射激光
III-V semiconductors; MOCVD; aluminium compounds; annealing; claddings; excited states; gallium arsenide; indium compounds; quantum dot lasers; semiconductor growth; spectral line shift; 1.28 mum; 293 to 298 K; 560 degC; AlGaAs cladding layer; InAs-GaAs; InAs-GaAs quant;
机译:以1.28 / spl mu / m的InAs-GaAs量子点发射激光,并通过金属有机化学气相沉积法生长AlGaAs包覆层
机译:通过金属有机化学气相沉积从堆叠的InAs / GaAs量子点和低温生长的AlGaAs覆层发射1.28μm激光
机译:高性能980 nm量子阱激光器,采用无铝InGaAs-InGaAsP有源区和通过金属有机化学气相沉积法生长的AlGaAs包层的混合材料系统
机译:1.28 / spl mu / m InAs / GaAs量子点激光器,具有通过金属有机化学气相沉积法在低温下生长的AlGaAs包覆层
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的III型磷化物半导体自组装量子点。
机译:通过使用金属有机化学气相沉积法简单地改变V / III比可实现宽范围可调密度的InAs / GaAs量子点
机译:间隙应变补偿层对金属 - 有机化学气相沉积生长的快速热退火indaAs / GaAs量子点红外光电探测器的影响