机译:Ba {sub} xSr {sub}(1-x)TiO {sub} 3薄膜与AlGaN / GaN HEMT电路的集成
BaSrTiO{sub}3 (BST); Ferroelectric varactors; GaN; High electron-mobility transistor (HEMT); Monolithic microwave integrated circuit (MMIC);
机译:超薄屏障AlGaN / GaN异质结构:用于制造和整合GaN的功率器件和动力驱动电路的无凹陷技术
机译:E / D模式GaN MIS-HEMT在Si衬底上超薄势垒AlGaN / GaN异质结构上的单片集成
机译:选择性区域阳极氧化的AgCl薄膜与AlGaN / GaN HEMT的集成用于氯离子检测
机译:BA {sub} xsr {sub}(1-x)TiO {sub} 3带有AlGaN / GaN HEMT电路的薄膜
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:通过ALN薄膜钝化获得的AlGaN / GaN功率HEMT中的低动态导通电阻