机译:GaAs MESFET的解析提取ZTC点
机译:在黑暗和光照条件下亚微米栅长离子注入GaAs MESFET的电流(I)-电压(V)特性的分析模型
机译:使用高夹断n-GaAs MESFET对共源和共漏微波振荡器的光效应的分析研究
机译:GaAs MESFET S参数的光效应分析模型
机译:GaAs MESFET的跨导和漏极电导的分析模型
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:GaAs纳米线最佳几何设计的解析方法用于光伏电池的最大光收集
机译:AlGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs MESFET中热载流子引起的辐射发射
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。