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机译:具有超薄氧化物的MOSFET中的量化,多晶硅耗尽和直接隧穿效应的建模和表征
机译:反转层质心和多晶硅耗尽效应对超薄栅极氧化物MOSFET行为的建模:晶体学取向的影响
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机译:隧道电流和沟道电阻对sub-20- / spl Aring /栅氧化物MOSFET的沟道反型层电荷和多晶硅栅耗尽特性的影响
机译:超薄二氧化硅栅介质的量子力学和多晶硅耗尽效应的估计
机译:对部分耗尽的绝缘体上硅MOSFET的瞬态辐射影响进行建模和仿真。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:多晶硅栅极增强了随机掺杂剂引起的具有超薄栅极氧化物的亚100nm mOsFET的阈值电压波动