机译:自对准硅化钛在亚微米CMOS中的接触和浅结特性研究
机译:氮(N +)注入钛自对准硅化物技术的CMOS器件的透射电镜观察
机译:利用筛选和响应表面实验设计开发0.5微米CMOS自对准硅化钛工艺
机译:亚微米技术的自对准硅化钛工艺的优化
机译:用硼簇植入和Ni-硅化纳米级CMOS技术改进超浅结的结特性
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:接触塞沉积条件对多级CMOS逻辑互连器件中结漏电流和接触电阻的影响
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。