常温淀积钛的硅化钛在CMOS工艺中的实现方法

摘要

本发明有关一种常温淀积钛的硅化钛在CMOS工艺中的实现方法，首先包括前非晶化注入，在形成了源、漏和栅极的CMOS上进行前非晶化注入；接着常温溅射淀积钛，在室温条件下通过普通淀积方法对上述CMOS溅射淀积钛，并追加进行氮化钛的溅射淀积；然后进行第一次快速退火；接着使用NH₄OH、H₂O₂和H₂O的混合液选择性湿法刻蚀；最后进行第二次快速退火，在源、漏和栅极形成硅化钛。通过以上方式，有效地抑制接触电阻的窄沟道效应，并保持硅化钛的低成本，工艺兼容性强的优势，且能够使元件漏电有很大改善，同时提高了利用率的生产能力，节约了时间和成本。