在单一腔室中淀积包含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层的方法

摘要

一种用于将含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层淀积到-晶片表面上的单腔室方法。利用等离子体增强化学气相淀积工艺对钛进行淀积并且接着进行等离子体氮化。然后利用热化学气相淀积工艺对氮化钛进行淀积。更可取地，基体和莲蓬式喷头的温度以及腔室内部压力在整个堆叠层淀积的过程中保持在基本恒定的值。