机译:具有热生长氧化物的门控Si:SiGe量子阱中的迁移率降低
Dept. of Electr. & Electron. Eng., Imperial Coll. of Sci., Technol. & Med., London;
Ge-Si alloys; electron mobility; elemental semiconductors; oxidation; semiconductor materials; semiconductor quantum wells; silicon; 650 C; Si-SiGe; degradation; low temperature electron mobility; modulation doped n-channel Si:SiGe quantum wells; sheet density; silic;
机译:具有热生长氧化物的门控Si:SiGe量子阱中的迁移率降低
机译:界面粗糙度散射对具有高k电介质/ SiO2栅堆叠的SiGe p-MOSFET迁移率降低的影响
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