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【2h】

MOS gated Si:SiGe quantum wells formed by anodic oxidation

机译：mOs栅极si：通过阳极氧化形成的siGe量子阱

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作者
J C Yeohy; P W Greeny; T J Thorntonyz; S Kayay; K Fobeletsy; J M Fernándezx;
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年度 1998
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