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机译:低频等离子体增强氮化硅的化学气相沉积法钝化GaAs
Groupe de microelectronique de Sherbrooke, Departement de genie electrique et de genie informa-tique, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, J1K 2R1 Quebec, Canada;
机译:100 nm In_(0.4)AlAs / In_(0.35)GaAs变质高电子迁移率晶体管与氮化硅层的远程等离子体增强化学气相沉积钝化效应
机译:使用低频等离子增强化学气相沉积氮化硅钝化空气暴露的AIGaAs
机译:通过使用低频等离子体增强氮化硅的化学沉积的一步干法通过一步干法实现GaAs表面钝化的机理
机译:通过低频等离子体增强化学气相沉积制备的高质量氮化硅膜
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:通过等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜吸收硅中的间隙铁