机译:优化用于非线性RF操作的InAlAs / InGaAs Y分支结的固有性能
Microwave Lab.-EMIC, Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium;
III-V semiconductors; aluminium compounds; frequency multipliers; gallium arsenide; indium compounds; microwave devices; microwave frequency convertors; solid-state rectifiers; 300 K; InAlAs-InGaAs; Y-branch junction; YBJ; bias conditions optimization; microwave freq;
机译:基于InAlAs / InGaAs的Y分支结在室温下用于微波整流的非线性电子传输特性
机译:纯三元InAlAs-InGaAs-InAlAs双异质结双极微波晶体管的低温性能
机译:InAlAs / InGaAs / InAlAs / InP HEMT小信号参数和噪声性能的自洽模型
机译:液相氧化InAlAs栅极的InAlAs / InGaAs MHEMT的亚阈值特性和高频性能
机译:优化的链路状态路由和动态源路由的性能评估。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:单片Inp基Inalas / InGaasp / InGaas三结太阳能电池的首次演示