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机译:用于SRAM存储器的耐失调电压检测放大器位线检测电路的设计
University of Salerno, Italy;
机译:紧凑的测量方案,用于位线摆动,感测放大器失调电压和字线脉冲宽度,以表征40 nm全功能嵌入式SRAM中的传感容限
机译:多级双复制位线延迟技术,用于低压SRAM读出放大器的过程变化鲁棒时序
机译:多级双复制位线延迟技术,用于低压SRAM读出放大器的过程变化鲁棒时序
机译:低功耗DRAM位线读出放大器的传感电压补偿电路
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:Si3N4光子电路对宽带片上光学气体感测的设计和仿真研究大约2μm光波长
机译:采用特定应用的sRam设计,利用输出预测来降低位线开关活动和统计选通的读出放大器,最高可降低1.9倍的能量/接入