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机译:在半微米BiCMOS栅极的速度和NMOSFET可靠性之间进行电源电压设计折衷
机译:考虑电源电压和关断电流的III-V和Si nMOSFET(门长度= 13 nm)的综合性能基准
机译:半微米和亚微米级以下CMOS器件的电源电压选择
机译:用于驱动大负载电容器的低压高速BiCMOS缓冲器设计
机译:一种新的BiCMOS / CMOS栅极比较/设计方法和电源电压缩放模型
机译:传统低压BiCMOS工艺中的单片IGBT栅极驱动器
机译:设计的三聚/四聚电压门控H +通道的门控
机译:打破功耗延迟的折衷方案:设计低电源电压的低功耗高速MOS电流模式逻辑电路