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机译:基于GaAs和InP的Be掺杂HBT中电流诱导降解的表征
机译:超高f / sub T /和f / sub max /新型自对准InP / InGaAs HBT,具有通过ALE / MOCVD生长的高度掺杂的基极层
机译:InGaAs / InP复合收集器的基于InP的HBT中雪崩倍增的温度依赖性:器件表征和物理模型
机译:偏压和温度应力下碳掺杂InP / InGaAs HBT中基极-发射极结的初始降解
机译:电流诱导的Be掺杂AlGaAs / GaAs HBT的降解及其通过Zn扩散到非本征基极层中的抑制
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:InP / InGaAs HBT的噪声,大信号建模和表征
机译:基于长波长Inp HBT的光接收机的制作与表征