机译:用电学测定带外延Si,外延Si / sub 1-x / Ge / sub x /和离子注入基极的双极晶体管中的带隙变窄
机译:外延生长的n-Si / p-Si_(1-x)Ge_x / n-Si异质结双极晶体管中注入损伤增强的硼扩散的控制
机译:1-MeV快速中子降解Si / sub 1-x / Ge / sub x /外延异质结双极晶体管
机译:Si中注入Ge离子形成的Si / Ge / sub x / Si / sub 1-x /异质结双极晶体管的带隙变窄和高频特性
机译:掺Si / Si
机译:用于异质结双极晶体管的砷化镓基外延结构具有更高的效率。
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:具有外延和离子注入基极的双极晶体管的集电极电流的温度依赖性
机译:快速再结晶和离子注入碳对硅上si(sub 1-x)Ge(sub x)合金层固相外延再生的影响