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机译:在注入的P型区域上的4H和6H-SiC MOSFET中反转和累积层电子传输的表征
机译:注入区域上4H和6H-SiC MOSFET的反型层中的电子传输模型
机译:(0001)4H和6H-SiC MOSFET的反转电子传输性能比较
机译:n型和p型MOSFET的累积层中有效电子和空穴迁移率的温度依赖性表征
机译:(0001)4H和6H-SIC MOSFET的反转电子传输性能比较
机译:对高级碳化硅功率MOSFET的反型层中电子传输的研究。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:硅NMOSFET反转层中电子传输的蒙特卡罗研究
机译:III-V族化合物中量子化反转和积累层中电子的迁移。