机译:非门控和门控Al / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs TEGFET中的生成复合噪声范围为1 Hz至1 MHz
机译:GaAs / Al_xGa_(1-x)As横向门控器件中开关噪声的起源
机译:降低Gaas / al_xga_(1-x)肖特基门控器件中的电荷噪声
机译:在超浅全外延金属栅极GaAs / Al_xga_(1-x)中的高电子迁移率和低噪声量子点接触作为异质结构
机译:AlGaN / GaN异质结构在1Hz-100MHz范围内的噪声起源及其在振荡器的高频噪声中的上转换
机译:用于频率为1 Hz--3 Mhz和温度范围为77K--324K的纳米器件的基于氮化镓的量子阱结构中的噪声。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:GaAs / AlGaAs横向门控器件中开关噪声的起源
机译:Gaas(1-x)sb(x)和Gaas(1-x)sb(x)/ Gaas应变层超晶格的光学表征