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机译:利用非线性IV模型优化毫米波GaAs MESFET的有源沟道厚度
机译:通过评估通道内部的电势分布,改进了亚微米SiC MESFET I-V特性的模型
机译:肖特基栅极(MESFET)在GaAs场效应晶体管中有效通道厚度的光学调制
机译:在GaAs MESFET的DC I-V特性中模拟温度效应
机译:纳米范围GaAs Mesfet的改进的非线性DC I-V特性模型
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:模型前庭神经元神经元可以表现出增强的非线性由于穗触发的钙和钙激活的钾通道调节的适应电流。
机译:建模沟道-衬底界面陷阱对GaAs MESFET衬底激发的响应
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。