...
机译:从电流-电压特性确定亚微米器件中栅金属与半导体之间的界面态的能级分布
机译:16nm门高k /金属栅极互补金属氧化物半导体器件和反相器电路中的随机接口陷阱引起的电特性波动
机译:薄栅氧化物中含Ge或Si纳米晶的半氧化物半导体器件的电流-电压特性
机译:从金属-绝缘体-半导体结构的动态电流-电压特性提取介电中对流电流和半导体-介电界面发射电流过程的实现原理
机译:从低频噪声测量获得的GaN金属半导体 - 金属光电探测器结构中的界面状态的精力分布
机译:用于金属氧化物半导体器件的栅极介电材料和介电/硅界面的研究
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。