机译:Ar气体退火原位清洗对Ge MOS器件电学性能的影响
CVD coatings; MIS devices; annealing; electric properties; interface states; nitridation; passivation; surface cleaning; thermal stability; transmission electron microscopy; 550 C; 600 C; Ar; GeON; HfO/sub 2/; MOS devices; chemical vapor deposition; electrical properties;
机译:P - GaN的电子表面,光学和电性能通过原位MOCVD激活和Ingan / GaN LED中的原位热退火
机译:热退火对纳米MOS器件中含ha氧化物栅极电介质的金属氮化物栅电极电性能的影响
机译:使用动态表面退火的无扩散退火对金属氧化物半导体器件中高ft /金属栅堆叠的电性能的影响
机译:退火工艺对气体金属氧化物半导体器件电学性能的影响
机译:使用化学退火制备的非晶硅锗膜和器件的性能。
机译:氧化和还原退火对Ge / La2O3 / ZrO2栅叠层电性能的影响
机译:通过电流 - 电压,深能级瞬态光谱和拉普拉斯DLTs研究氢,氧和氩退火对ZnO和ZnO器件电性能的影响