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机译:窄带隙MOSFET的断态电流限制
III-V semiconductors; MOSFET; carrier lifetime; gallium arsenide; germanium; indium compounds; narrow band gap semiconductors; backside contact; flatband-mode MOSFET; high-mobility channels; interface quality; inversion-mode MOSFET; minority carrier extraction; minor;
机译:InGaAs量子阱MOSFET中过关电流的比例研究
机译:纳米级MOSFET和隧道FET中的关态电流的基本物理学
机译:InGaAs量子阱MOSFET中过关态电流的物理特性和缓解
机译:在短通道体MOSFET中寻求新颖的通道掺杂特性,以减少断态电流并提供出色的通道静电性能
机译:IV列迁移率,带隙和应变工程MOSFET的性能增强。
机译:宽带隙聚合物(PBDB-T)和窄带隙聚合物(PBDTTT-EFT)作为Per二酰亚胺基聚合物太阳能电池供体的比较研究
机译:采用不同技术制备的栅极电介质的N沟道mOsFET中的断态漏电流