机译:具有N / sub 2 / O生长的栅极电介质的n沟道MOSFET增强了关态漏电流
机译:具有氮化氧化物栅极电介质的n沟道MOSFET中的断态栅极电流
机译:高k栅介质的纳米级MOSFET的断态泄漏电流特性及机理分析
机译:具有通过不同技术制备的栅极电介质的N沟道MOSFET的关态栅极泄漏电流
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:采用不同技术制备的栅极电介质的N沟道mOsFET中的断态栅极漏电流