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机译:超薄SOI亚阈值SRAM单元的静态噪声裕度-基于泊松方程解析解的评估
Poisson's equation; SOI; static noise margin (SNM); subthreshold SRAM; ultrathin body (UTB);
机译:亚阈值SRAM单元中静态噪声裕量变化的建模和缓解
机译:具有理想亚阈值因子和小变异性的纳米级MOSFET组成的低压SRAM的静态噪声裕度改善分析
机译:采用28 nm UTBB FD-SOI CMOS技术的6T-SRAM单元尺寸的静态噪声裕度折衷
机译:利用泊松等式分析解决方法研究亚亚薄体SOI SRAM细胞静态噪声裕度
机译:低盐浓度时圆柱非线性Poisson-Boltzmann方程的渐近解:表面势和优先相互作用系数的解析表达式
机译:高速应用sRam单元的静态噪声容限分析
机译:单双门sOImOs中一维薛定谔方程和泊松方程的解