机译:使用分别由垂直Si非栅极FET控制的大量Si场发射器阵列的均匀大电流阴极-第2部分:器件制造和特性
Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, MA, USA;
Ballasting; Si field emission arrays (FEAs); cathodes; electron supply control; vertical ungated Si field-effect transistors (FETs);
机译:使用分别由垂直Si非栅极FET控制的大量Si场发射器阵列的均匀大电流阴极-第1部分:器件设计和仿真
机译:统一寻址的垂直腔顶面发射激光器的64 * 1阵列
机译:使用催化剂阻隔层合成高度致密和垂直对准的SWCNT阵列:用于器件的高性能场发射器
机译:由Si支柱未经过诸如SI支柱未经凝固的FET的Si和CNF既有均匀电流场发射电子和CNF批准
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:Micro-RT用于癌症研究的独立控制的多像素碳纳米管阴极阵列芯片的制备与表征
机译:微立室癌研究的单独控制多像素碳纳米管阴极阵列芯片的制造与表征