机译:高压耗尽型nMOSFET中GIDL引起的断态击穿分析
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, Nation Cheng Kung University , Tainan, Taiwan;
Bell-shaped; Si recess; gate-induced drain leakage (GIDL); off-state breakdown;
机译:栅极击穿后具有关断功能的高压p-GaN HEMT
机译:高压P-GaN Hemts,闸门击穿后具有断开状态阻塞功能
机译:厚栅氧化层高压SOI-pLEDMOS的断态应力退化分析与优化
机译:用于NAND闪存外围设备的高压耗尽型N沟道MOSFET结击穿不稳定性的走出效应及其高效布局研究。
机译:纳米级CMOS技术中具有击穿能力的高压电源电路
机译:高压传输线绝缘子中金属污染分布的激光诱导击穿光谱(LIBS)检测
机译:基于衬底电流分析的薄氧化物NmOsFET软击穿特性
机译:Ina1as / InGaas mODFET的断态击穿