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机译:基于沟道反向散射的部分弹道纳米MOSFET饱和的微观精确模型
Department of Electronics, Computer and System Sciences (DEIS), University of Calabria , Arcavacata di Rende (CS), Italy;
Backscattering; Monte Carlo (MC) simulation; ballistic transport; nanoscale metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (nanoMOSFETs);
机译:局部弹道传输机制中的纳米MOSFET的沟道噪声建模
机译:准弹道状态下石墨烯FET的沟道电荷,背向散射和迁移率的显式模型
机译:基于虚拟源的自洽电流和电荷FET模型:从弹道到漂移扩散速度-饱和操作
机译:弹道和部分弹道状态下变形对碳基晶体管的影响
机译:确定新的饱和机制会阻碍利用受激拉曼反向散射的等离子基激光放大器的发展。
机译:毛细管血氧饱和度的理论模型:通过单个红细胞的反向散射探索血红蛋白氧饱和度
机译:基于沟道反向散射的部分弹道纳米MOSFET饱和的微观精确模型,