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机译:基于时间常数谱的大功率LED芯片附着层热特性分析
Key Laboratory for Optoelectronic Technology and Systems, College of Optoelectronic Engineering, Ministry of Education, Chongqing University, Chongqing, China;
Die attach layer; dynamic compact thermal model; light-emitting diode (LED); thermal transient characteristics; time-constant spectrum; time-constant spectrum.;
机译:高功率GaN基发光二极管的热管理和界面特性,该二极管使用添加了金刚石的Sn-3重量百分比Ag-0.5重量百分比Cu焊料作为模切附着材料
机译:高功率GaN基发光二极管的热管理和界面特性,采用金刚石添加的Sn-3 wt。%Ag-0.5 wt。%Cu焊料作为芯片附接材料
机译:封装高亮度LED的芯片附着材料的热疲劳特性
机译:基于熵产生分析的板载芯片LED封装管芯附着层中分层的热传递影响
机译:质子耦合的氧化还原中心的电子转移动力学附着在电极上的自组装单分子层上。
机译:使用逐层组装的葡萄糖氧化酶包覆的金属棉纤维的高功率混合生物燃料电池
机译:Thermal management and Interfacial properties in High-power GaN-Based Light-Emitting Diodes Employing Diamond-added sn-3 wt.%ag-0.5 wt.%Cu solder as a Die-attach material
机译:平滑,粗糙和蒸腾冷却表面高超声速附着和分离边界层结构的基础研究。