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机译:界面陷阱和表面粗糙度对堆叠式纳米线FET器件性能的影响
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea;
Field effect transistors; Correlation; Rough surfaces; Surface roughness; Scattering; Performance evaluation; Nanoscale devices;
机译:接口陷阱电荷对横向/垂直栅极堆叠GE / SI TFET-on-Selbox基板的设备级性能的影响
机译:润湿性和表面粗糙度对2-D和3-D多孔介质流体位移和毛细血管诱捕的影响:2。润湿性,表面粗糙度和孔隙空间结构的综合效果在砂包和微模中的诱捕效率
机译:功函数变化和线边缘粗糙度对TFET和FinFET器件以及32位CLA电路的影响†
机译:分析漏极电流模型研究界面陷阱电荷对双闸GE铁电FET器件性能的影响(DGGEFEFET)
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:润湿性和表面粗糙度对2-D和3-D多孔介质流体位移和毛细血管诱捕的影响:2。润湿性,表面粗糙度和孔隙空间结构的综合效果在砂包和微模中的诱捕效率