机译:GaN HEMT中用于电力电子应用的交叉耦合和衬底电容的分析和建模
Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India;
Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India;
Department of Science and Engineering, Macquarie University Sydney, NSW, Australia;
Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India;
Capacitance; Substrates; Gallium nitride; HEMTs; MODFETs; Analytical models; Integrated circuit modeling;
机译:衬底电压对GaN-on-Si HEMT电容影响的建模
机译:AlGaN / GaN Hemts内在电容温度依赖性非线性的分析与建模
机译:用于功率应用的SiC和Si衬底上常关p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的高温性能
机译:用于微波和高速电路应用的120nm AlGaN / GaN HEMT的电容建模
机译:高功率电子设备的建模与鉴定:闪光沸腾和GAN HEMT可靠性造型激光二极管的系统分析
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用CMOS在硅中的A1GaN / GaN HEMT整体集成的热分析<111>基材
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。