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机译:AlGaN / GaN Hemts中的一致表面电位基于漏极和栅极电流的建模
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys IAF D-79108 Freiburg Germany;
IMS CHIPS D-70569 Stuttgart Germany;
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys IAF D-79108 Freiburg Germany;
AdMOS GmbH D-72636 Frickenhausen Germany;
IMS CHIPS D-70569 Stuttgart Germany;
Macquarie Univ Sch Engn Sydney NSW 2109 Australia;
Compact model; Fowler-Nordheim (FN) tunneling; GaN high-electron mobility transistor (HEMT); gate leakage current; Poole-Frenkel (PF) emission; thermionic emission (TE);
机译:基于表面电势的AlGaN / GaN HEMT中栅极电流的紧凑建模
机译:p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT上的漏极电流不稳定性现象
机译:基于表面电位的P-GaN栅极栅极电流的紧凑型模型
机译:用P-GaN层在漏极进入区域中使用P-GaN层降低电流坍塌
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制