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机译:通过在基于HfO 2 sub>的电阻随机存取存储器中插入铟锡氧化物层作为氧离子存储库来稳定电阻开关特性
Chinese Naval Acad, Dept Appl Sci, Kaohsiung 813, Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, Kaohsiung 804, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Electrophys, Hsinchu 300, Taiwan;
HfO2 insulator; indium-tin-oxide (ITO); oxygen ion reservoir; resistive random access memory (RRAM);
机译:AIO_X层对双层基于HfO_x的电阻式随机存取存储设备的电阻切换特性和设备间一致性的影响
机译:通过将氧化铟层作为氧离子存储层插入基于HFO 2的电阻随机存取存储器中的氧化铟层来提高性能
机译:HfO
机译:氧含量和覆盖金属层对基于HfO
机译:阐述和优化了高级计算应用的电阻式随机存取存储器切换行为
机译:HfO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:HFO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。