机译:N通道Si / SiGe MODFET:快速热激活对DC性能的影响
机译:离子注入埋入p阱掺杂改善了Si / SiGe n-MODFET中的DC和RF性能
机译:0.25 / spl mu / m p型SiGe MODFET的DC和RF性能
机译:低温下深亚微米肖特基栅极n沟道Si:SiGe HFET的直流性能
机译:在微波快速热处理过程中检查无热,光子对硼扩散和活化的影响
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:子太太辐射耦合对N沟道应变硅模块的数值研究
机译:质子和X射线照射对厚膜SOI互补(NPN + PNP)SiGE HBT的DC和AC性能的影响