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机译:通过氧自由基退火减少化学气相沉积Ta / sub 2 / O / sub 5 /薄膜中的电流泄漏[DRAM电介质]
机译:DRAM板电极偏置优化,可减少UV-O / sub 3 /和O / sub 2 /退火CVD沉积的Ta / sub 2 / O / sub 5 /电介质膜中的泄漏电流
机译:时间依赖性介质击穿和应力引起的泄漏电流对Gbit级DRAM高介电常数(Ba,Sr)TiO / sub 3 /薄膜电容器可靠性的影响
机译:基于ZrO的高k电介质降低20 nm DRAM电容器漏电流特性的新方法
机译:高压氧化氘退火沉积在硅上的ALD-Al_2O_3介质中的漏电流降低
机译:研究二氧化钛电介质中的泄漏电流变化。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:通过用于高压致动的电退火减少电活性聚合物的漏电流和介电损耗
机译:后HaLT退火对固体钽电容器漏电流的影响