机译:模拟的4H-SiC栅极关断晶闸管的关断,其栅极位于p基或n基上
机译:4H-SIC栅极截止晶闸管中阳极栅极台面侧壁的表面复合和过电流
机译:4.5 kV 4H-SiC换向栅极关断晶闸管的最小栅极触发电流衰减
机译:具有直接载流子提取访问漂移区域以进行功率转换应用的4H-SiC栅极关断晶闸管的研究
机译:20 kV,2 cm 2 sup>,4H-SiC栅极关断晶闸管,用于高级脉冲功率应用
机译:4H碳化硅门关闭晶闸管的设计和制作
机译:使用声发射传感器识别闸门关断晶闸管开关图案
机译:4H-siC 6kV栅极关断晶闸管的制备与表征
机译:用于高级脉冲功率应用的20 kV,2 cm2,4H-sIC栅极关断晶闸管