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The enhancement of Q factor in RPCVD SiGe varactors by the structural modification of the base-collector junction

机译:通过基极-集电极结的结构改性来提高RPCVD SiGe变容二极管中的Q因子

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摘要

We designed two silicon germanium (SiGe) varactors enhanced in Q factor through a structural modification by using a cost-effective SiGe heterostructure bipolar transistor (HBT) process, a conventional reduced-pressure chemical vapor deposition (RPCVD). As a result, the suggested structures showed a superiority in Q factor (160/GHz/pF at 2.5 GHz) to the conventional one (70/GHz/pF), even with neither a change in process nor an additional mask. We attributed the enhancement of Q factor to the structural feature of the varactors and quantitatively analyzed it with a lumped element model.
机译:我们使用经济高效的SiGe异质结构双极晶体管(HBT)工艺(一种传统的减压化学气相沉积(RPCVD)),通过结构修改设计了两个Q因子增强的硅锗(SiGe)变容二极管。结果,所建议的结构显示出Q因子(2.5 GHz时为160 / GHz / pF)优于传统的Q因子(70 / GHz / pF),即使工艺没有变化也没有额外的掩模。我们将Q因子的增强归因于变容二极管的结构特征,并使用集总元素模型对其进行了定量分析。

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