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机译:快速热退火过程中铟从硅中向外扩散
Int. SEMATECH Co., Austin, TX, USA;
rapid thermal annealing; diffusion; ion implantation; silicon; indium; elemental semiconductors; indium out-diffusion; silicon crystal; rapid thermal annealing; ion implantation; nitride cap layer; oxide cap layer; nitride/oxide/Si sandwich; soak tim;
机译:快速热退火掺铬铟锌氧化物的表面形态和电迁移:锌间隙和向外扩散的影响
机译:快速热退火掺铬铟锌氧化物的表面形态和电迁移:锌间隙和向外扩散的影响
机译:碳共注入先进快速热退火后原位掺杂硼的Si_(0.75)Ge_(0.25)外延膜的硼向外扩散的局部密度扩散模型(LDD-)
机译:离子注入硅中铟快速热退火的可逆效应
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:通过快速热退火和闪光灯退火使硅和绝缘子上的硅中的硼活化和扩散