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机译:高施加电压下蓝宝石衬底上高压GaN HEMT的导通电阻调制
Gallium nitride (GaN); high voltage; high-electron mobility transistor (HEMT); power semiconductor device;
机译:蓝宝石衬底上的C掺杂半绝缘GaN HFET具有高击穿电压和低导通电阻
机译:ALGAN / GAN垂直超结闸HEMT改进击穿电压和特定导通电阻
机译:E模式GaN-Hemts在反向电流导通应力下栅极阈值电压不稳定性和导通电阻劣化
机译:蓝宝石衬底上的低比导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:高压GaN HEMT的栅极下沉阈值电压调整技术。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT在SINX钝化层中具有氟离子注入