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机译:接触刻蚀停止层诱导的局部拉伸应变$ hbox {HfO} _ {2} $ nMOSFET的正偏置温度不稳定性(PBTI)特性
$ hbox{HfO}_{2}$; Contact etch stop layer (CESL); positive bias temperature instability (PBTI);
机译:具有$ hbox {HfO} _ {2} / hbox {TiN} $栅极堆叠的nMOSFET的正偏置温度不稳定性效应
机译:TiN超薄厚度(1.4 nm和2.4 nm)对后栅极工艺的高k /金属栅极nMOSFET的正偏置温度不稳定性(PBTI)的影响
机译:HfO_2 nMOSFET中氧空位引起的电荷俘获和正偏压温度不稳定性
机译:超薄HfO 2 sub> NMOSFET的动态正偏置温度不稳定性
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:旨在了解全嵌入式栅极GaN MIS-FET中的正偏置温度不稳定性(PBTI)