Vertical Silicon-Nanowire Formation and Gate-All-Around MOSFET

Yang B.; Buddharaju K. D.; Teo S. H. G.; Singh N.; Lo G. Q.; Kwong D. L.

首页> 外文期刊>IEEE Electron Device Letters >Vertical Silicon-Nanowire Formation and Gate-All-Around MOSFET

【24h】

Vertical Silicon-Nanowire Formation and Gate-All-Around MOSFET

机译：垂直硅纳米线形成和全能栅极MOSFET

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

This letter presents a vertical gate-all-around silicon nanowire transistor on bulk silicon wafer utilizing fully CMOS compatible technology. High aspect ratio (up to 50 : 1) vertical nanowires with diameter

机译：这封信提出了利用完全兼容CMOS技术的块状硅晶片上的垂直全能栅极硅纳米线晶体管。直径

著录项

来源
《IEEE Electron Device Letters》 |2008年第7期|p.791-794|共4页
作者
Yang B.; Buddharaju K. D.; Teo S. H. G.; Singh N.; Lo G. Q.; Kwong D. L.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Dopant-Segregated Schottky Silicon-Nanowire MOSFETs With Gate-All-Around Channels [J] . Chin Y.K., Pey K.-L., Singh N., Electron Device Letters, IEEE . 2009,第8期

机译：具有全通道栅极的掺杂剂隔离肖特基硅纳米线MOSFET
2. Vertical heterojunction Ge_(0.92)Sn_(0.08)/Ge gate-all-around nanowire pMOSFETs with NiGeSn contact [J] . Liu Mingshan, Mertens Konstantin, von den Driesch Nils, Solid-State Electronics . 2020,第Juna期

机译：垂直异相结合GE_（0.08）SN_（0.08）/ GE门 - 全面与nigesn接触的纳米线PMOSFET
3. Vertical Ge Gate-All-Around Nanowire pMOSFETs With a Diameter Down to 20 nm [J] . Liu Mingshan, Scholz Stefan, Hardtdegen Alexander, IEEE Electron Device Letters . 2020,第4期

机译：垂直GE门 - 全面纳米线PMOSFET直径下达20nm
4. CMOS Compatible Gate-All-Around Vertical Silicon-Nanowire MOSFETs [C] . B. Yang, K. D. Buddharaju, S. H. G. Teo, Proceedings of the 38th European Solid-State Device Research Conference . 2008

机译：CMOS兼容的栅极全能垂直硅纳米线MOSFET
5. Gate-All-Around Nanowire MOSFET for DNA Sequencing [D] . ?Islam, Mohammad Azharul 2020

机译：用于DNA测序的门 - 全部纳米线MOSFET
6. Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs [O] . Jie Gu, Qingzhu Zhang, Zhenhua Wu, 2021

机译：P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
7. NSP: Physical compact model for stacked-planar and vertical Gate-All-Around MOSFETs [O] . O. Rozeau, S. Martinie, T. Poiroux, 2016

机译：NSP：用于堆叠平面和垂直门 - 全部MOSFET的物理紧凑型号

Vertical Silicon-Nanowire Formation and Gate-All-Around MOSFET

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅