机译:利用$ hbox {HfO} _ {2} $栅极电介质通过多沉积室温多退火工艺制造的MOSFET的器件性能和可靠性提高
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore;
CMOS; gate last; high-$ kappa$; metal gate; sub-32-nm technology node; ultraviolet ozone (UVO);
机译:通过等离子氮化和ALD $ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $栅介电和自对准NiGe触头通过快速熔体生长制造的高性能栅极全能GeOI p-MOSFET
机译:氧沉积后退火提高了TDDB的可靠性和HfO_2高k /金属栅MOSFET器件的特性
机译:带隙,栅极材料功函数和栅极介电工程TFET的性能研究,提高了器件的可靠性
机译:使用热稳定的HfO / sub x / N / sub y /栅极电介质的MOSFET的氮浓度影响和性能改善
机译:AL的制造:HFO2栅极电介质MOSFET
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:具有栅极电介质的n-mOsFET的电气性能和可靠性通过不同技术制造
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。