机译:重结晶多晶硅上的单晶边界隧道场效应晶体管:建议和研究
Department of Electronics and Communication Engineering, M. S. Ramaiah Institute of Technology, Bangalore, India;
Doping; Grain boundaries; Silicon; Thin film transistors; Tunneling; PNPN TFET; Tunnel field effect transistor (TFET); glass substrates; grain boundary (GB); poly-Si; simulation; thin film transistor (TFT);
机译:重结晶多晶硅上的单晶边界无掺杂PNPN隧道FET:建议和理论分析
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机译:基于有机半导体的单晶粒和单晶粒边界的场效应晶体管。
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