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机译:使用有机栅极薄膜晶体管测量多晶硅中单个晶界上的载流子迁移率
Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University, 4-3-16 Jonan, Yonezawa 992-8510, Japan;
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机译:具有负温度依赖性的多晶硅中的晶界限制载流子迁移率:基于陷阱辅助隧穿的通过晶界陷阱的载流子传导模型
机译:热载流子应力对具有单个垂直晶界的高性能多晶硅薄膜晶体管的影响
机译:具有垂直于沟道的位置受控晶界的激光结晶多晶硅氧化硅氮化物氧化硅薄膜晶体管的存储特性
机译:关于未掺杂多晶硅薄膜晶体管的晶界势垒高度和阈值电压
机译:基于有机半导体的单晶粒和单晶粒边界的场效应晶体管。
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:纳米晶硅薄膜晶体管(nc-Si TFT)上使用晶界的场效应迁移率建模