机译:一种使用$ {rm Al} _ {2} {rm O} _ {3} $门极电介质为高性能SPC多晶硅TFT生长热$ {rm SiO} _ {2} $中间层的简单方法
State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, Hong Kong|c|;
${rm Al}_{2}{rm O}_{3}$; Al₂O₃; Solid-phase-crystallized; interlayer; interlayer.; polycrystalline silicon; thermal ${rm SiO}_{2}$; thermal SiO₂; thin-film transistor;
机译:低于400 $ ^ {circ} {rm C}〜{rm Si} _ {2} {rm H} _ {6} $钝化层,$ {rm HfO} _ {2} $栅介质和单TaN金属栅:用于$ {rm In} _ {0.7} {rm Ga} _ {0.3} {rm As} $和$ {rm Ge} _ {1-x} {rm Sn} _ {x} $的通用栅极堆叠技术CMOS
机译:沉积电感耦合等离子体化学气相沉积的a-IGZO TFTs $ {rm SiO} _ {x} $门电介质
机译:识别双层$ {rm SiO} _ {rm x} / {rm HfSiON} $栅介质叠层中失败的第一层
机译:为什么SIN {sub} x:他的优选栅极电介质用于非晶Si薄膜晶体管(TFT)和SiO {Sub} 2是多晶Si TFT的优选栅极电介质
机译:新英格兰小型农场的可持续替代方案:对新英格兰小型农场采用再生农业方法时的物质和文化影响的研究
机译:具有高浓度前体的高性能固溶处理的非晶ZrO2栅极绝缘体TFT的简单方法
机译:具有高浓度前体的高性能,高性能,加工,无定形ZrO2栅极绝缘体TFT的简单方法