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机译:用于4H-SiC高压器件的沟槽式多个浮动限流环终端
Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China;
4H-SiC; Breakdown voltage; termination; trench FLRs structure;
机译:4H-SiC-多浮区连接端接扩展中高压器件的新型边缘端接技术
机译:斜面结终止扩展— 4H-SiC高压器件的新型边缘终止技术
机译:6500V 4H-SiC JBS二极管的非均匀间距多浮面圆环的设计和制造
机译:具有多区域梯度场限制环的超高压4H-SiC器件的近乎理想的边缘端接技术
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:紧凑的沟槽辅助多轨道角动量多环光纤用于超高密度空分复用(19环×22模式)
机译:用于高压4H-SIC器件的紧凑型沟槽辅助空间调制JTE设计